這些霍爾效應鎖存器是極端溫度穩(wěn)定和耐應力傳感器 IC，特別適合擴展溫度范圍（最高 150°C）的工作條件。通過創(chuàng)新施密特觸發(fā)器電路可以實現(xiàn)卓越的溫度性能，該觸發(fā)器電路通過補償霍爾元件的溫度變化來保持工作和釋放點對稱。此外，內(nèi)部補償可以提供對溫度更敏感的磁性開關點，因此，抵消了溫度導致的磁場性能降低。對稱功能使這些器件成為占空比是重要參數(shù)的脈沖計數(shù)應用的理想選擇。除磁性開關以外，三個基本器件（A1225、A1227 和 A1229）完全相同。

每個器件在單硅片上裝有以下元件：穩(wěn)壓器、霍爾電壓發(fā)生器、溫度補償電路、單放大器、施密特觸發(fā)器，以及帶短路保護的開漏極輸出（最大灌電流 25 mA）。板載穩(wěn)壓器允許使用 3.8 到 24V 的電源電壓進行操作。

器件編號后綴的第一個字符決定器件工作溫度范圍。后綴 L 表示 –40°C 至 150°C。兩種封裝類型都能為大多數(shù)應用提供磁性優(yōu)化的封裝。后綴 LT 表示微型 SOT89/TO-243AA 晶體管封裝，適合表面安裝應用；后綴 UA 表示三管腳超小型 SIP。兩種封裝均為無鉛封裝，采用 100% 霧錫電鍍引腳框。

特點和優(yōu)點

■ 對稱的開關點

■ 非凡的溫度穩(wěn)定性

■ 能以未穩(wěn)壓電源運行

■ 開漏極 25 mA 輸出

■ 電池反接保護

■ 利用市場有售的小磁鐵激活

■ 固態(tài)可靠性

■ 小尺寸

■ 對物理應力不敏感

■ 增強 ESD 結構實現(xiàn) 8 kV HBM ESD 性能，并且不使用外部保護組件

■ 內(nèi)部保護電路可以實現(xiàn) 40 V 負載突降合規(guī)，并且不使用外部保護組件

原理框圖